Состав неона
Неон (Nе) | не менее 99,999 |
Водород (H2) | не более 0,00005 |
Кислород (O2) | не более 0,00005 |
Углеводороды (CH4) | не более 0,00015 |
Гелий (Не) | не более 0,0003 |
Азот (N2) | не более 0,0002 |
Водяные пары | не более 0,00005 |
Двуокиси углерода | не более 0,00005 |
Окиси углерода | не более 0,00015 |
Здесь вы сможете купить газ неон по привлекательной конкурентной цене, а также воспользоваться другими удобными опциями для наших клиентов:
· доставка продукции осуществляется как по регионам России, так и в страны СНГ;
· покупатели крупных партий товара могут оплатить заказ на условиях рассрочки (график согласуем индивидуально);
· для оптовых покупателей цена газа неон также может быть снижена.
Желаете получить товар на условиях самовывоза? Без проблем – это можно сделать в представительстве компании в Москве.
· Наименование: Неон.
· Химическая формула: Ne.
· Молярная масса: 20,1797 гр. на моль.
· Температура плавления: - 248,6 0С.
· Температура кипения: -246,05 0С.
· Плотность газа: 0,90035 кг. на 1 м. куб. при t 20 0С.
Газ неон является инертным, он не имеет выраженного цвета, вкуса или запаха. Промышленный метод получения газа основан на принципах сжижения и разделения воздуха на составляющие компоненты.
Применение
Газ неон активно задействуют как охладитель в криогенных установках. В прошлом неоновая инертная среда использовалась в промышленности, но сейчас её массово заменяют аргонной. Газ неон даёт яркое красно-оранжевое свечение при прохождении через него электрического заряда, поэтому он широко применяется при производстве сигнальных ламп. Также активно его используют при производстве различной светящейся рекламной продукции, для получения свечения другого оттенка неон смешивают с другими веществами.
Газ неон входит в состав газовой смеси, используемой для дыхания водолазов и других специалистов, работающих в условиях повышенного давления. Неоново-гелиевая смесь используется в терапии пациентов с различными расстройствами дыхательного аппарата. С недавних пор газ неон стал важным производственным компонентом при изготовлении интегральных микросхем.